חברת סמסונג הודיעה על התחלת הייצור ההמוני של מודול הזיכרון הראשון, שפותח במיוחד עבור שרתים ארגוניים ומרכזי נתונים מדגם DDR4 RAM 128GB TSV.
רכיבי זיכרון אלה משתמשים בטכנולוגיה Through Silicon Via או TSV שהינה מערכת המשתמשת במסלולי חיבור אנכיים החוצה שתי פרוסות סיליקון כמשטחי מעגלים משולבים בודדים לחלוטין, פתרון המאפשר ייצור של שבבים בתלת מימד, וכך מקבלים יותר אחסון באותו שטח.
הפתרון לא חדש לגמרי, מכיוון שבשנה שעברה הציגה מודול זהה אך בנפח של 64GB.
מודול הזיכרון DDR4 בנפח 128GB מורכב מסך של 144 שבבי DDR4, המסודרים למארז של 36 יחידות של 4GB מסוג DRAM , כאשר כל אחד כולל ארבעה 20 ננומטר מעגלים המכילים שבבים 8 gigabit הארוזים בטכנולוגית TSV החדשנית.
ההרכבה המסורתית מתבצעת באמצעות כבל, בעוד מערכת בחיבור TSV משתמשת במאות נקבים המאפשרים מעבר של האלקטרודות והגברת אות השידור.
בנוסף, למודול ה- DDR4 RAM 128GB TSV יש עיצוב מיוחד המאפשר השבב הראשי של כל חבילה של GB4 משלב פונקצית מאגר הנתונים (buffer), המאפשרת לייעל את הביצועים והן את צריכת חשמל של המודול.
אודות לטכנולוגיה זו, המודול מספק מהירות עבודה של Mbps 2400 וצריכת אנרגיה נמוכה ב- 50% בהשוואה לרכיבי DRAM LRDIMMs בנפח של 64GB שלהם ישנה מגבלות הספק ומהירות עקב חיבור עם כבל קונבנציונלי.
החברה לא מסרה מחיר רכיב החדש אך סביר להניח כי מחירו לא יהיה נמוך.
מקור – סמסונג
לדיון בנושא: סמסונג – מודול זיכרון DDR4 ראשון בנפח 128GB
