חברת סמסונג אלקטרוניקס הודיע כי היא החלה בייצור המוני של מארז ה- 4GB DRAM המבוסס על הזיכרון מהדור השני רוחב פס גבוה בממשק HBM 2, לשימוש במחשוב עתיר ביצועים (HPC), כרטיסי גרפיקה מתקדמים ועבור שרתים ארגוניים.
סגן נשיא בכיר, Sewon Chun ממחלקת שיווק זיכרון סמסונג אלקטרוניקס אמר כי "על ידי ייצור המוני של הדור הבא של HBM2 DRAM, אנחנו יכולים לתרום הרבה יותר בהגברת האימוץ של חברות IT גלובליות של הדור הבא של מערכות HPC."
רכיב ה- 4GB HBM2 DRAM מיוצר בטכנולוגיית 20 ננומטר, כמו קודמו ה- HBM שהופך אותו מתאים לשימוש במחשבי HPC של הדור הבא אשר נדרש שימוש אנרגטי יעיל, אמינות ויכולות של ביצועים גבוהים.
להזכירכם כי לא מזמן סמסונג השיקה את מודול זיכרון DDR4 ראשון בנפח 128GB מדגם DDR4 RAM 128GB TSV שהתקבל היטב בעולם המחשוב.
לפי ההודעה לעיתונות, לרכיב ה- 4GB HBM2 DRAM רוחב פס של 256GBps כלומר כפול מזה של ה- HBM1 DRAM. זה אומר כי זיכרון ה- 4GB HBM2 DRAM חזק ומהיר פי 7 מדגם ה- 4GB GDDR5 DRAM הנוכחי של החברה בעל רוחב פס של 36GBps.
ה- 4GB HBM2 DRAM משתמש בפחות כוח ומגדיל את רוחב הפס פר ואט יותר מאשר ה- 4GB GDDR5 DRAM וכמו כן הוא ECC (תיקון שגיאות) בכדי להגביר את האמינות.
עוד נמסר כי סמסונג מתכוונת לייצר בשנה זו גם את ה- 8GB HBM2 DRAM , ובשימוש ברכיב זה בכרטיסים גראפיים, למהנדסים המתכננים את הכרטיסים יהיה חיסכון של כ- 95% בשטח על גבי הכרטיס מאשר בשימוש ברכיב GDDR5 DRAM ועל ידי כך להציע פתרון לניצול שטח אופטימאלי להתקנים קומפקטיים הדורשים יכולות מחשוב גרפיקה ברמה גבוהה.
לשם המחשה, בין החברות שישתמשו ברכיב זה יהיו NVDIA ו- AMD עבור הפחתת בצריכת החשמל ומזעור גודל הכרטיסים, ומצד שני ליהנות מהגדלה בביצועים.
Dynamic Random Access Memory – DRAM
לדיון בנושא: סמסונג מתחילה ליצר את ה- DRAM המהיר ביותר בעולם
